Comment effacer les données stockées dans les dispositifs de mémoire MRAM

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Comment effacer les données stockées dans les dispositifs de mémoire MRAM


Lors d’une recherche dans Google sur MRAM, je n’ai pu trouver que le processus de lecture et d’écriture pour MRAM. Comment l’effacement se produit-il dans MRAM? Aussi pourquoi il n’y a pas besoin de correction d’erreur et d’algorithme de vérification dans MRAM?

Chetan Bhargava

Vous consultez la fiche technique correspondante?

PeterJ

Je ne suis pas assez sûr pour poster une réponse, mais je pense que comme la RAM, il est adressable en octets et n’a pas de convulsions d’endurance, vous pouvez donc simplement écrire des zéros (ou autre chose) pour l’effacer comme vous le faites avec la RAM.

Keelan

Ce que dit @PeterJ est absolument possible. Cependant, il pourrait y avoir une seule instruction d’effacement qui serait plus rapide.

Réponses


 Connor Wolf

L’écriture est fonctionnellement équivalente à l’effacement.

Selon la construction physique, l’écriture peut en fait être un processus en deux étapes, où la première étape réinitialise la mémoire à un état « effacé », et la deuxième étape « définit » certains des bits.
Que l’état d’un bit « effacé » soit 0b11111111 ou 0b00000000 dépend des spécificités du matériel.

Une partie de la mémoire, comme le flash, ne peut effacer que de grandes sections de mémoire à la fois, donc le processus pour «écrire» sur un octet peut en fait impliquer la lecture, puis le stockage d’une grande section (cela peut aller jusqu’à 512 octets! « Taille de la page »), puis mettre à jour les données stockées (qui sont probablement conservées dans SRAM) avec la nouvelle valeur, puis réécrire les données mises à jour sur la page.

Quoi qu’il en soit, du point de vue du niveau IC, cela est largement hors de propos –
Pour «effacer» quelque chose dans la MRAM, il vous suffit de l’écraser avec une nouvelle valeur.
Si vous souhaitez faire de l’option d’effacement une étape distincte, écrivez simplement 0b00000000 ou 0b11111111.

Paul A. Clayton

Vous voudrez peut-être aborder l’aspect ECC – que, comme NOR Flash, MRAM est plus résilient que NAND Flash (un compromis avec la densité), je semble me rappeler que même les lectures peuvent risquer de perturber certains Flash NAND. Je pense que la MRAM est également moins vulnérable aux perturbations dues à un seul événement de rayonnement (qui – en plus de fonctionner comme une mémoire universelle unique, un accès en lecture-écriture permanent et aléatoire, réduisant ainsi le poids et éventuellement les modes de défaillance – la rendent plus attrayante pour les applications aérospatiales) .

supercat

Sur les périphériques Flash à bloc volumineux, l’écriture d’un octet ne nécessiterait généralement pas la lecture, la mise à jour, l’effacement et la réécriture d’une section aussi importante. Plus généralement, les données seraient subdivisées en pages déplaçables d’environ 512 octets qui seraient lues ou écrites comme une unité. Lorsqu’une page est écrite, le système trouve une page vierge, y écrit la page, prend note de son nouvel emplacement et marque l’ancienne page comme ayant été remplacée. Si aucune page vierge n’est disponible, il peut être nécessaire de copier des données hors d’un bloc et de les effacer, mais on peut choisir à cet effet un bloc dont les pages ont surtout …

supercat

… été remplacé. Si l’on veut éviter une longue période de mise à jour dans le pire des cas, chaque page pourrait également écrire envisager de déplacer un bloc d’une page qui contient beaucoup de pages mortes vers un nouveau bloc, de sorte qu’au moment où il n’y avait pas de pages vierges disponibles , il y aurait un bloc qui ne contiendrait que des pages remplacées. [note: J’ai généralement vu «page» utilisée pour faire référence à une zone de mémoire qui peut [ou dans certains cas doit] être écrite comme une unité, et «bloc» pour faire référence à une zone de mémoire qui doit être effacée comme une unité.

 

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